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MLC(Multi-Level Cell)技術2年前在NAND型快閃記憶體(Flash)產業掀起一陣波濤，新帝(SanDisk)和東芝(Toshiba)陣營一路領先態勢，讓三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)吃足苦頭，經此教訓，各廠對於下世代x3(3-bit-per-cell)技術均不敢輕忽，紛掀起卡位戰，新帝和東芝陣營可能再度搶得頭香，三星預計2008年推出，海力士獲新帝授權後，尚未有確切量產時間表，至於英特爾(Intel)亦不會缺席，然至今還未表態。
過去NAND Flash每年成本下降幅度都約在40%，帶動NAND Flash價格快速下滑，值得注意的是，受到製程難度提升及性能遞減影響，自2006年起這樣的成本下降法則已明顯被打破，然這亦促使各NAND Flash大廠興起下世代技術x3追逐戰。
記憶體業者表示，2年前NAND Flash市場由SLC(Single-Level-Cell)轉到MLC時，新帝和東芝搶先量產MLC，使得晚1年量產的三星背負不小壓力，甚至發生三星承諾給蘋果(Apple)iPod的NAND Flash是MLC晶片，但因製程良率有問題，最後只能以成本較高的SLC交貨給蘋果。
由於MLC是在1個記憶體cell裡放入2個位元資訊量，而x3技術則是在1個記憶體cell中放入3個位元，成本可進一步下降，未來追逐NAND Flash生產成本持續下降，製程微縮成本將愈趨明顯，x3或x4技術絕對是主流趨勢。不過，從SLC世代技術到MLC世代，NAND Flash成本下降約50%，然從MLC轉到x3技術，或是x3到x4世代，成本下降速度恐不會這麼快。
目前新帝和東芝陣營擁有技術和專利優勢，在x3技術極有機會搶得頭香，最先導入量產和出貨；而根據三星Flash Day所揭櫫計畫，x3技術將於2008年問世，有著MLC前例在先，三星這次絕對不敢輕忽；至於海力士日前已獲得新帝授權採x3技術生產，然目前海力士還未公布量產時刻表；英特爾方面亦未宣布量產時間點，然x3技術大戰，依照英特爾技術實力，絕對不會缺席。
此外，研究機構Web-Feet Research預估，2012年起大部分NAND Flash大廠都將導入x3技術，屆時x3技術市佔率將達52.8%，成為NAND Flash市場主流，MLC型產品則佔25.4%，至於更新世代的x4(4-bit-per-cell)技術佔16.6%，SLC技術則只佔4.4%。
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